| কম্পাঙ্ক | 1-1200MHz |
|---|---|
| চরিত্রগত imppedance | 75Ω |
| درجه | আরএফ ট্রান্সফরমার |
| কাজ কম্পাঙ্ক | উচ্চ তরঙ্গ |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে +85 ℃ |
| কম্পাঙ্ক | 5-600MHz |
|---|---|
| আরএফ শক্তি | 0.25W |
| ডিসি কারেন্ট | 30mA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে 85 ℃ |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | -55 ℃ থেকে 100 ℃ |
| ফ্রিকোয়েন্সি | 5-1250MHz |
|---|---|
| চারিত্রিক প্রতিবন্ধকতা | 75Ω |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে 85 ℃ ℃ |
| স্টোরেজ তাপমাত্রা | -৫৫°সি থেকে ১০০°সি |
| প্রতিরোধের অনুপাত | 3:1 |
| ফ্রিকোয়েন্সি | 1-1200MHz |
|---|---|
| চারিত্রিক প্রতিবন্ধকতা | 75Ω |
| প্রকার | আরএফ ট্রান্সফরমার |
| কাজের ফ্রিকোয়েন্সি | উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে +85 ℃ ℃ |
| কম্পাঙ্ক | 50-1250MHz |
|---|---|
| চরিত্রগত imppedance | 75Ω |
| আরএফ শক্তি | 0.25W |
| ডিসি বর্তমান | 30mA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে 85 ℃ |
| কম্পাঙ্ক | 1-1500MHz |
|---|---|
| চরিত্রগত imppedance | 75Ω |
| درجه | আর এফ |
| সাক্ষ্যদান | RoHs,iso9001 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে +85 ℃ |
| কম্পাঙ্ক | 5-1250MHz |
|---|---|
| চরিত্রগত imppedance | 75Ω |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে 85 ℃ |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | -55 ℃ থেকে 100 ℃ |
| ইমপ্যাডেন্স অনুপাত | 3: 1 |
| কম্পাঙ্ক | 5-1250MHz |
|---|---|
| চরিত্রগত imppedance | 75Ω |
| আরএফ শক্তি | 0.5W |
| ডিসি বর্তমান | 30mA |
| ইমপ্যাডেন্স অনুপাত | 1: 2 |
| কম্পাঙ্ক | 50 থেকে 1250 মেগাহার্টজ |
|---|---|
| চারিত্রিক প্রতিবন্ধকতা | 75Ω |
| ডিসি কারেন্ট | 30mA |
| আরএফ শক্তি | 0.25W |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে 85 ℃ |
| চারিত্রিক প্রতিবন্ধকতা | 75Ω |
|---|---|
| কম্পাঙ্ক | 5-3000MHz |
| আরএফ শক্তি | 0.25W |
| ডিসি কারেন্ট | 30mA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 ℃ থেকে 85 ℃ |